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F475R06W1E3BOMA1
F475R06W1E3BOMA1
在庫あり
製品の詳しい仕様はデータシートをご確認ください
Manufacturer:
Infineon
Category:
Discretes
Description:
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
データシート
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価格 :
$24.34
(
¥3,874.68
)
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Infineon
在庫あり: 52
$24.34
(
¥3,874.68
)
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価格表
数量
単価
25-99
$24.34
(
¥3,874.68
)
100-499
$23.12
(
¥3,680.47
)
500-999
$21.91
(
¥3,487.85
)
1000-9999
$20.69
(
¥3,293.64
)
10000+
$19.47
(
¥3,099.43
)
価格、在庫状況および納期は購入時に確認となります
製品仕様
その他
タブ
メーカー型番
F475R06W1E3BOMA1
メーカー名
Infineon
メーカー注文コード
SP000257413
ベース型番
F4XR06W1J
ライフサイクル
EOL/LTB
PDN番号
PD_359_25
最終購入日(LTB)
5-31-2026
最終出荷日(LTS)
11-30-2026
パッケージタイプ
AG-EASY1B-311
パッケージピン数
12
RoHS対応
Yes
鉛フリー
No
梱包形態
Tray
梱包数
24
製品カテゴリー
Discretes
製品サブカテゴリー
Transistor
製品グループ
IGBT Module
HTSコード
8541.29.0055
ECCN番号
EAR99
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