半導体の遺産：レガシーメモリ製品
ロチェスターエレクトロニクスが紹介する「1970年代の半導体」シリーズ、今回はインテルのDRAM1103です。
多種多様な半導体メモリ製品の中でも、DRAM(Dynamic Ramdom Access Memory)の登場は、電子システムおよび製品の歴史に特に大きな影響を与えました。1968年、ロバート・H・デナード博士とIBMが1セルDRAMの特許を取得し、このDRAMの概念はすぐに商品化されました。
1969年、ハネウェルはデータを保存するための3つのトランジスタから構成されるダイナミックメモリセルのコンセプトを考案し、この設計を商品化し、大量生産するためのパートナーを探していました。
当初、p-MOS技術によって許容できる歩留まりを達成するのに苦労しましたが、重要な追加の設計変更(コンタクトの埋め込み)により、歩留まりが劇的に向上し、トランジスタ構造のさらなる小型化が可能となりました。性能は2ミリ秒に32回の読み出しサイクルにまで向上しました。半導体設計の見直しを繰り返すことにより生産歩留まりが向上し、インテルは1970年にDRAM1103 (1kb-1024bytes)を発売することになりました。
それまでは、磁気コアメモリが業界標準でした。材料や組立に膨大な時間がかかってしまい、物理的にも大きい磁気コアメモリは、すぐに安価なDRAMにとって代わられてしまいました。1972年までに、DRAM1103は世界で最も売れた半導体となりました。この設計は、他の半導体メーカー数社に相互ライセンスされ、利用可能な最初のメモリ製品標準規格の一つになりました。
1985年にインテルはDRAM市場から撤退しました。その後、供給は日本、そしてHynixやSamsungといった韓国のメーカーに支配されるようになりました。今日、DRAMは市場全体で幅広い用途向けに使用されているため、従来の半導体製品の売り手と買い手の関係から、原材料のような扱いで、供給量と価格決定が行われています。
過去を振り返るシリーズの最新版をお楽しみいただけたでしょうか
ぜひ来月も楽しみにしていてください！
ロチェスターエレクトロニクスは、40年以上にわたって半導体メモリ市場をサポートしてきました。多くのメーカーから提供されるさまざまなDRAM製品をサポートし続けています。
ロチェスターのメモリポートフォリオは、業界標準のパッケージで、複数のメーカーから提供された揮発性メモリと不揮発性メモリをカバーし、10,000品番、1億3,500万個を超える製品群を有しています。
引用：Bellis, Mary. "Who Invented the Intel 1103 DRAM Chip?" ThoughtCo, Aug. 27, 2020, thoughtco.com/who-invented-the-intel-1103-dram-chip-4078677.
1103 DRAM image ©Thomas Nguyen - Own work, CC BY-SA 4.0, https://commons.wikimedia.org/w/index.php?curid=49532861
